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*SML，暴跌9000亿
来源：内容 编译自*NB* 。
受对华出口限制和美国关税不确定性影响，*SML市值在不到一年时间里蒸发逾1300亿美元（约9365亿***）。
据标普 **pit*l IQ 数据显示，*SML 被视为半导体**链中的关键一环，其股价去年7月创下每股逾1000欧元的历史新高，市值达到4295亿美元。但截至周二收盘，*SML 市值已跌至略低于2970亿美元。
自去年以来，由于美国加强对华芯片出口限制，以及美国总统唐纳德·***上任以来威胁对半导体行业征收关税，半导体类股一直波动剧烈。*SML 和其他欧洲半导体公司都感受到了压力。
*DD* BHF 股票研究主管 Steph*ne H***i 周三在 *NB* 的“欧洲早间版”节目中表示：“该领域所有设备制造商的股价都下跌了，因为他们把所有的担忧都集中在……美国对中国的限制上。”
H***i 还表示，关税讨论以及关于企业是否在人工智能领域过度投资的争论，引发了人们对“需求是否未达到许多人预期的水平”的质疑。
*SML 是半导体**链中最重要的公司之一。它设计的极紫外光刻 (E*V) 设备被台积电等制造商采购，用于制造世界上最先进的芯片。
该公司最近开始出货下一代高数值孔径 (High N*) 设备。
普遍认为，*SML 是全球唯一一家能够生产此类 E*V 光刻机的公司，这为其提供了宽阔的护城河。
然而，*SML 从未能够将其最先进的光刻机运往中国，这削弱了这家荷兰公司的潜在**。*SML 首席执行官 *h***t*phe F**q*et 今年1月接受 *NB* 采访时表示，他预计2025年“我们在华业务占比将低于2023年和2024年的水平”。
*SML 并非唯一一家面临关税和中国挑战的公司。全球芯片股都感受到了与中国和关税相关的全球市场不确定性的压力。
美欧达*贸易和关税协议可能会为投资者消除一些不确定性。
“如果最终与***总统以及……欧洲和许多其他国家达*协议，他们可能会受益于市场，尤其是芯片行业的复苏，”H***i 补充道。
尽管外部压力令 *SML 承压，但分析师仍相对看好该股。根据伦敦证券交易所 (LSEG) 统计的分析师**会议平均值，*SML 的目标价略高于779欧元。这意味着较周二收盘价上涨约17%。
本月，富国银行 (Wells F**g*) 在与 *SML **层会面后发布了一份客户报告。该投行分析师表示，*SML 在2025年和2026年“仍对增长机会持乐观态度”，并特别提到了三星和英特尔等正在投资下一代芯片制造工具的公司。
台积电重申，1.4nm不用High N*
台积电在阿姆斯特丹举行的欧洲技术研讨会上重申了其长期以来对下一代高N* E*V光刻设备的立场。该公司的下一代工艺技术，包括*16（1.6纳米级）和*14（1.4纳米级）工艺技术，不需要这些最高端的光刻**。因此，台积电不会在这些节点上采用高N* E*V设备。
“人们似乎总是对台积电何时会使用高数值孔径 (High-N*) 感兴趣，我认为我们的答案很简单，”台积电副联席首席***兼业务发展和全球**高级副总裁张凯文 (Kevin Zh*ng) 在活动上表示。“只要我们发现高数值孔径 (High-N*) 能够带来有意义的、可衡量的效益，我们就会采用。对于 *14来说，我之前提到的性能提升在不使用高数值孔径的情况下也非常显著。因此，我们的技术团队正在持续寻找延长现有 E*V 寿命的**，同时获得微缩优势。”
台积电的 *14工艺基于其第二代纳米片环栅晶体管 (N*n*sheet G*te-*ll-***epted T**ns**t**)，以及全新的标准单元架构。据台积电称，*14在相同*率和复杂度下性能提升高达15%，或在相同频率下*耗降低25% 至30%。在晶体管密度方面，*14在*合逻辑/S**M/模拟配置下较 N2提升20%，在纯逻辑配置下提升高达23%。
这种性能、*率和晶体管密度的提升代表了所谓的“全节点优势”，然而，台积电并不需要下一代高N* E*V光刻工具，就能在其 *16和 *14工艺技术上生产出具有可预测产量和所需性能及*率特性的芯片。需要记住的是，台积电的 *16本质上是带有超级电源轨 (SP*) 背面供电网络的N2P 。 由于台积电不需要用于 N2和 N2P 的高N* E*V 工具，因此 *16也不需要它们。相比之下，*14是一个全新的节点，将于202*年投入量产，因此台积电不需要高N*这一事实非常引人注目。
当被问及 *14是否严重依赖多重图案化时，张回答说他无*评论具体细节，但表示台积电的技术团队已经找到了一种在1.4nm 节点上生产芯片的**，而无需使用High N* E*V 工具，该工具可提供*nm 分辨率，而L*w N* E*V **的分辨率为13.5nm。
“这是我们技术团队的一项伟大创新，”张教授说道。“只要他们继续寻找**，显然我们就不必使用高数值孔径E*V。最终，我们会在某个时候使用它。只是我们需要找到一个合适的拦截点，提供最大的效益，实现最大的投资回报。”
值得注意的是，台积电的 *14将于2029年被采用 SP* 背面供电技术的 *14所取代，而且看起来台积电在这次迭代中也不需要High N* E*V 设备。因此，与英特尔不同，台积电似乎至少在2027年至202*年间开始使用其14* 制造技术的下一代 E*V 光刻机来减少 E*V 曝光次数（即多重曝光）和工艺步骤，而英特尔则至少在2030年甚至更晚之前没有计划在量产中使用High N* E*V。
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